2016年

有価陶磁器製品に不可視な2次元コードを焼き付ける方法の提案とその評価
藤川真樹、西村英伍、渕真悟
情報処理学会論文誌　コンシューマ・デバイス＆システム、Vol. 6、pp. 1-13 (2016)

A Study of Baking Visually Unrecognizable Two-Dimensional Code onto Valuable Pottery and Porcelain Products
M. Fujikawa, E. Nishimura, and S. Fuchi
Journal of the Institute of Industrial Applications Engineers, Vol. 4, pp. 129?136 (2016)

A Study of Applying Artifact- Metrics Technology and Baking Invisible Information onto Valuable Porcelain ProductsInteraction
M. Fujikawa, and S. Fuchi
International Journal of Materials, Mechanics and Manufacturing, Vol. 4, pp. 1-7 (2016)

2015年

Interaction of Nd dopants with broadband emission centers in Bi₂O₃B₂O₃ glass: local energy balance and its influence on optical properties
M. Ishii, S. Fuchi, and Y. Takeda
Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 27, 395402 (2015)

Development of a new detection device using a glass clip emitting infrared, fluorescence for laparoscopic surgery of gastric cancer
S. A. Inada, S. Fuchi, K. Mori, J. Hasegawa, K. Misawa, and H. Nakanishi
Journal of Physics: Conference Series, Vol. 619, 012033 (2015)

Development of near-infrared absorption spectrometry system by using NIR, wideband glass phosphor LED
H. Uemura, S. Fuchi, R. Kato, K. Amano, K. Hiraizumi, H. Hayase, and Y. Takeda
Journal of Physics: Conference Series, Vol. 619, 012053 (2015)

Effects of host glasses on luminescence properties of Sm³⁺, Pr³⁺ co-doped glass
Y. Shimizu, K. Watanabe, H. Uemura, S. Fuchi and Y. Takeda
Journal of Physics: Conference Series, Vol. 619, 012048 (2015)

2014年

Local Structure of Pr, Nd, Sm Complex Oxides and Their XANES Spectra
H. Asakura, T. Shishido, S. Fuchi, K. Teramura, and T. Tanaka
The Journal of Physical Chemistry Part C, 118 (36), pp. 20881?20888 (2014)

Continuous in situ X-ray reflectivity investigation on epitaxial growth of InGaN by metalorganic vapor phase epitaxy
G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, H. Amano, and Y. Takeda
Journal of Crystal Growth, Vol. 407, pp. 68-73 (2014)

有価陶磁器製品に対する人工物メトリクス適用のための研究
藤川真樹、小田史彦、森安研吾、渕真悟、竹田美和
情報処理学会論文誌、 Vol. 55、 pp. 1992-2007 (2014)

Ultrawide-band near-infrared light source over 1mW by Sm³⁺, Pr³⁺-codoped glass ,phosphor combined with LED
S. Fuchi, Y. Shimizu, K. Watanabe, H. Uemura, and Y. Takeda
Applied Physics Express, Vol. 7, Art. No.072601 (2014)

Proposal for a New Artifact-Metrics Method (Application to Valuable Pottery, ,Porcelain, and Glass Products)
M. Fujikawa, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, and Y. Takeda
International Journal of Information and Electronics Engineering, Vol. 4, pp. 209-215 (2014)

Luminescence properties of Pr₆O₁₁-doped and PrF₃-doped Sb₂O₃-ZnO-GeO₂ glasses for wideband NIR phosphor
S. Fuchi, W. Ishikawa, S. Nishimura, and Y. Takeda
Seventh International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2016), Montreal, Quebec, Canada, Po-We-10, June13-17 (2016)

Luminescence properties of Tm₂O₃-doped oxide glasses for NIR wideband light-source
S. Nishimura, S. Fuchi, and Y. Takeda
Seventh International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2016), Montreal, Quebec, Canada, Po-We-25, June13-17 (2016)

IMAGING OF PROSTATIC CANCER BY NEWLY DEVELOPED LED-BASED　WIDEBAND NEAR-INFRARED LIGHT SOURCE INCLUDING THE ABSORPTION BAND OF WATER WITH PSA: FIRST RESULTS
T. Yamamoto, H. Mizuno, Y. Funahashi, Y. Mastukawa, Y. Yoshino, S. Fuchi, and M. Gotoh
31th Annual Meeting, Engineering and Urology Society, San Diego, CA, USA, May 7 (2016)

Proposal and Evaluation of the Utilization of a Baking Method to Apply Visually Unrecognizable Two-Dimensional Code onto Valuable Ceramic Products
M. Fujikawa, E. Nishimura, and S. Fuchi
The 4th IIAE International Conference on Industrial Application Engineering 2016 (ICIEA2016), Beppu, Japan, GS7-2, March 26-30 (2016)

Near-infrared light source composed of nitride-based light-emitting diode and Pr³⁺-doped glass phosphor
Y. Ishinaga, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and S. Fuchi
SPIE Photonics West 2016, The Moscone Center, San Francisco, California, UnitedStates, February 13-18 (2016) (Session 8:LED Applications and Solid-State Lighting, 17 February 2016, 11:40 AM - 12:00 PM, Paper 9768-42)

2015年

Ultra-wideband near-infrared light-source by Sm³⁺, Pr³⁺ co-doped glass phosphor combined with GaN-based LED
S. Fuchi, and Y. Takeda
14th Akasaki Research Center Symposium, Nagoya, Japan, November 20 (2015)

Development of Field-Portable NIR Absorption Spectrometry System by Using Glass Phosphor Combined with LED
H. Uemura, S. Fuchi, R. Kato, K. Amano, K. Hiraizumi, H. Hayase, and Y. Takeda
17th International Conference on Near Infrared Spectroscopy (NIR2015), Foz do Iguassu, Brazil, P063, October 18-23 (2015)

Development of new devices for detection of gastric cancer on laparoscopic surgery using near-infrared light
S. A. Inada, S. Fuchi, K. Mori, J. Hasegawa, K. Misawa, and H. Nakanishi
SPIE Photonics West 2015, The Moscone Center, San Francisco, California, United States, February 7-12 (2015) (Monday 9 February 2015 5:30 PM - 7:30 PM, Paper 9304-238)

2014年

Ultraprecision surface monitoring during growth of InGaN on GaN
H. Amano, G. Ju, A. Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, and S. Fuchi
Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide-gap Semiconductors (WUPP for Wide-gap Semiconductors) 2014, Bath, UK, Aug. 20-22 (2014)

Development of a new detection device using a glass clip emitting infrared fluorescence for laparoscptic surgery of gastric cancer
S. Inada, S. Fuchi, K. Mori, J. Hasegawa, K. Misawa, and H. Nakanishi
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2014), Leeds, UK, 00119, July 27-August 1 (2014)

Effects of host glasses on luminescence properties of Sm³⁺, Pr³⁺ co-doped glass
Y. Shimizu, K. Watanabe, H. Uemura, S. Fuchi, and Y. Takeda
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2014), Leeds, UK, 00117, July 27-August 1 (2014)

Development of near-infrared absorption spectrometry system by using NIR wideband glass phosphor LED
H. Uemura, S. Fuchi, R. Kato, K. Amano, K. Hiraizumi, H. Hayase, and Y. Takeda
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2014), Leeds, UK, 00114, July 27-August 1 (2014)

High-energy X-ray diffraction measurements and luminescence properties of Sm³⁺-doped borate glasses
K. Watnabe, S. Fuhi, and S. Kohara
The 8th International Conference on Borate Glasses, Crystals and Melts & International Conference on Phosphate Glasses (BORATE PHOSPHETE 2014), Pardubice, Czech, (P-)082, June 30- July 4 (2014)

Fluorescence XAFS measurements and luminescence properties of Sm³⁺-doped borate glasses
S. Fuhi, R. kimura, M. Tabuchi, and Y. Takeda
The 8th International Conference on Borate Glasses, Crystals and Melts & International Conference on Phosphate Glasses (BORATE PHOSPHETE 2014), Pardubice, Czech, (P-)081, June 30- July 4 (2014)

Recent development of atomic-level in situ growth monitoring tools for the fabrication of nitride-based light-emitting devices [invited]
H. Amano, G. Ju, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, M. Tabuchi, Y. Takeda, and S. Fuch
The 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5), TB1-1(June 3, 2014), Jeju, Korea, June 1-5 (2014)

2013年

In-situ measurement on GaInN/GaN heterostructure growth by X-ray reflectivity
Y. Takeda, G. Ju, S. Fuchi, and H. Amano
13th Akasaki Research Center Symposium, Nagoya, Japan, November 28 (2013)

The New Verification Method of Authenticity for Pottery and Porcelain Products
M. Fujikawa, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, and Y. Takeda
The IEEE Signature Conference on Computers, Software & Applications (compsac2013), Industry Papers I, Kyoto, Japan, July 22-26 (2013)

Continuous In-Situ X-ray Reflectance on InxGa1-xN Single Quantum Well by MOVPE
G. Ju, Y. Honda, S. Fuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, and H. Amano
International Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA'13), Yokohama, Japan, LED1-5, April 23-25 (2013)

2018年

Tm³⁺,Pr³⁺共添加近赤外超広帯域ガラス蛍光体の開発
(D)西村　政哉, 高松　直輝, 七井　靖, 渕　真悟
第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-S223-10, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京, 3月9日～12日 (2019)

MOCVD-NEA表面作製装置を用いたInGaAsPのフォトカレント特性―半導体材料依存性―
(M1)出射　幹也, 村田　文浩, 山下　海人, 七井　靖, 渕　真悟
第66回応用物理学会春季学術講演会, 10p-PA5-4, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京, 3月9日～12日 (2019)

Tm³⁺と^Pr3+を用いたガラス蛍光体と青色LEDとを一体化した近赤外超広帯域光源
西村 政哉, 七井 靖, 渕 真悟
第34回近赤外フォーラム, P-32, 北海道大学学術交流会館, 北海道札幌市, 11月20日～22日(2018)

分光分析応用に向けたクロム添加ニオブ酸系蛍光体一体型LEDの開発
七井 靖, 石田 亮太, 小澤 佑介, 卜部 佑貴, 西村 政哉, 渕 真悟
第34回近赤外フォーラム, P-31, 北海道大学学術交流会館, 北海道札幌市, 11月20日～22日(2018)

波長変換ガラス　－希土類イオン添加ガラスの近赤外広帯域蛍光体応用ー
渕 真悟
ニューガラスフォーラム 第126回(平成30年度第2回) ニューガラスセミナー, 日本ガラス工業センター, 東京都新宿区, 10月22日(2018)

近赤外広帯域光源用Crイオン添加Mg₂SiO₄の発光特性
(M1) 石田 亮太, 卜部 佑貴, 西村 政哉, 七井 靖, 渕 真悟
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-PA3-7, 名古屋国際会議場, 愛知, 2018年9月18日～21日

Pr³⁺添加Bi₂O₃-GeO₂系結晶における発光特性の冷却速度依存性
(M2) 石井 恭平, 七井 靖, 渕 真悟
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-PA3-5, 名古屋国際会議場, 愛知, 2018年9月18日～21日

Mg₄Nb₂O₉:Cr³⁺蛍光体の近赤外広帯域発光
七井 靖, 石田 亮太, 卜部 佑貴, 西村 政哉, 渕 真悟
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-235-7, 名古屋国際会議場, 愛知, 2018年9月18日～21日

近赤外広帯域光源用Tm³⁺添加GeO₂系ガラス蛍光体の開発
(D1) 西村 政哉, 七井 靖, 渕 真悟
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-235-6, 名古屋国際会議場, 愛知, 2018年9月18日～21日

陶磁器向け人工物メトリクスのための機能性材料の開発：基礎実験
藤川真樹、原 万里子、 渕 真悟
産業応用工学会全国大会2018, GS5-1, くにびきメッセ, 松江, 9月13日(2018)

Tm₂O₃又はTmF₃添加GeO₂系ガラス蛍光体の発光特性
(M2)西村　政哉, 七井　靖, 渕　真悟
第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-G204-9, 早稲田大学 西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京, 3月17日～20日 (2018)

Cs/GaAs基板のフォトカレント特性に対する基板表面状態の影響
(M2)佐藤　孝吉, 出射　幹也, 秋山　侑輝, 七井　靖, 渕　真悟
第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-P2-4, 早稲田大学 西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京, 3月17日～20日 (2018)

Pr³⁺添加Bi₂O₃-GeO₂系ガラスおよび結晶の発光特性
(M1)石井　恭平, 澁澤　允紀, 七井　靖, 渕　真悟
第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-P9-15, 早稲田大学 西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京, 3月17日～20日 (2018)

Pr³⁺添加TeO₂ガラスの発光特性に対するPr³⁺原料の影響
(M1)萩原　夏子, 川畑　慶倫, 七井　靖, 渕　真悟
第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-P9-16, 早稲田大学 西早稲田キャンパス・ベルサール高田馬場, 東京, 3月17日～20日 (2018)

偽造防止技術としてのガラス蛍光体の開発と陶磁器への適用
小山紗季、藤川真樹、渕 真悟
2018暗号と情報セキュリティ・シンポジウム（2018SCIS）、2D2-5、朱鷺メッセ、新潟県、1月23日－26日（2018）


2017年

シングルショット観測をもたらすGaN系半導体フォトカソードによる電子ビーム技術革新（Innovate Electron Beam by GaN Semiconductor Photocathodes Conductive to Single Shot Imaging）
西谷智博、成田哲博、冨田 健、北村真一、目黒多加志、飯島北斗、渕 真悟、田渕雅夫、本田善央、天野 浩
日本顕微鏡学会第60回記念シンポジウム、1s-A1、ニューウエルシティ宮崎、宮崎県、12月1日～2日（2017）

分光分析応用に向けたフーリエ変換型分光器の特性評価
神田裕貴、畠山治巳、小原洋、七井靖、渕真悟
第33回近赤外フォーラム、P-33、筑波大学、茨城県つくば市、11月15日～17日（2017）

色相と発光強度を光学特徴として持つガラス蛍光体の開発
小山紗季、藤川真樹、渕 真悟
第7回バイオメトリクスと認識・認証シンポジウム（SBRA2017）、S4-20、産業技術総合研究所、臨海副都心センター、東京都、
11月13日－14日（2017）

人工物メトリクス技術の研究（合成樹脂製品への適用）
髙山幸紀、藤川真樹、渕 真悟
S2-20、産業技術総合研究所　臨海副都心センター、東京都、11月13日－14日（2017）

2つの光学特性を持つガラス蛍光体の開発
小山紗季、藤川真樹、渕真悟
コンピュータセキュリティシンポジウム 2017 (CSS2017)、3C1-4、pp. 988-993、山形国際ホテル、山形県山形市、10月23日－25日（2017）

合成樹脂製品に対する人工物メトリクスの適用
髙山幸紀、藤川真樹、渕真悟
コンピュータセキュリティシンポジウム 2017 (CSS2017)、3C1-3、pp. 980-987、山形国際ホテル、山形県山形市、10月23日－25日（2017）

CaTiO₃:Pr,Al蛍光体単結晶における残光特性の励起光波長依存性
七井　靖, 五十嵐　綾香, 上岡隼人
第78回応用物理学会秋季学術講演会、　7p-A414-11、　福岡国際会議場、　福岡、9月5日～8日　(2017)

近赤外広帯域光源用Tm³⁺添加酸化物ガラスの発光特性　-自己吸収の影響-
西村　政哉, 渕　真悟, 七井　靖, 竹田美和
第78回応用物理学会秋季学術講演会、　7p-A414-15、　福岡国際会議場、　福岡、9月5日～8日　(2017)

蛍光体を誘導物とする視覚障がい者向け歩行支援システムの提案
藤川真樹, 橋本 就, 渕　真悟
マルチメディア, 分散, 協調とモバイル(DICOMO2017)シンポジウム、1E-3、 pp. 141-148、定山渓万世閣ホテルミリオーネ、 北海道、 6月20日-30日 (2017)

複数の特徴除法を用いて人工物の真正性を検証する方法の研究
藤川真樹, 實川康輝, 渕真悟
マルチメディア, 分散, 協調とモバイル(DICOMO2017)シンポジウム、4E-4、 pp. 826-833、定山渓万世閣ホテルミリオーネ、 北海道、 6月20日-30日 (2017)

2016年

近赤外広帯域光源用ガラス蛍光体の開発
渕真悟
日本真空学会　スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第151回定例研究会、機械振興会館、東京都、12月8日(2016)
日本真空学会　SP部会　No. 31, No. 5, pp. 2-11 2016.12.8
　　　　　　
近赤外広帯域光源用Tm₂O₃添加酸化物ガラスの発光スペクトル制御
西村政哉、渕真悟、竹田美和
第77回応用物理学会秋季学術講演会、15p-P10-11、朱鷺メッセ、新潟、9月13日～16日 （2016）

ガラス蛍光体クリップを用いた胃内腔病変位置描出システムの開発
三澤一成、稲田シュンコアルバーノ、渕真悟、長谷川純一、森健策、中西速夫
第116回日本外科学会定期学術集会 OP-078-7、大阪国際会議場、大阪府、4月14日～16日 (2016)

近赤外蛍光を利用した食中毒菌の検出方法の確立と装置開発
田中和裕、加藤晃代、海谷慎一、三宅司郎、渕真悟、中野秀雄、田村廣人
日本農芸化学会2016年度大会 3K008、札幌、北海道、3月27日～30日 (2016)

木製漆器に対する人工物メトリクスの適用可能性に関する研究
藤川真樹、渕真悟
情報処理学会第15回コンシューマ・デバイス＆システム(CDS)研究発表会、CDS-6、天草市民センター、熊本県、1月21日～22日 (2016)

有価陶磁器製品に不可視な２次元コードを焼き付ける方法の提案とその評価
藤川真樹、西村英伍、渕真悟
情報処理学会第15回コンシューマ・デバイス＆システム(CDS)研究発表会、CDS-5、天草市民センター、熊本県、1月21日～22日 (2016)

2015年 　　　　　　

近赤外広帯域ガラス蛍光体一体型LEDとFT分光器を用いた可搬型農薬測定装置の開発
上村彦樹、渕真悟、加藤亮、天野啓二、平泉健一、早瀬広志、竹田美和
第31回近赤外フォーラム P-16、筑波大学、茨城県つくば市、11月25日～27日 (2015)

希土類イオン添加ガラスの近赤外広帯域蛍光体への応用
渕真悟
日本希土類学会第33回講演会、東工大、東京都、11月6日 (2015)　希土類 No.67、pp.7-18 2015.11

応物参加者のための元特許庁審査官による特許入門
渕真悟
第76回応用物理学会秋季学術講演会、チュートリアル、名古屋国際会議場、愛知県、9月13日～16日 (2015) 【9月13日チュートリアル講演、招待講演】

「光らなかった」過程から観た希土類添加ガラス：欠陥‐希土類相互作用によるエネルギー損失の直接観測
石井真史、渕真悟、竹田美和
第32回希土類討論会 2A-04、かごしま県民交流センター、鹿児島県、5月21日～22日 (2015)

研究教育現場の知的財産権
渕真悟
平成27年度電気学会全国大会 H-5-5、東京都市大学、東京都、3月24日～26日 (2015) 【シンポジウム「現代社会と技術者倫理」内で講演】

「光らなかった」過程から観た希土類添加ガラス：欠陥電荷の局在/非局在と消光の関係
石井真史、渕真悟、竹田美和
第62回応用物理学会春季学術講演会 1p-A25-7、東海大学、神奈川県、3月11日～14日 (2015)

2014年

ガラス蛍光体一体型LEDを用いた分光分析装置の開発－農薬検出への応用－
上村彦樹、渕真悟、加藤亮、天野啓二、平泉健一、早瀬広志、竹田美和
第30回近赤外フォーラム P-53、筑波大学、茨城県つくば市、11月26日～28日 (2014)

Development of a new laparoscopic system for identifying the exact location of the primary tumor in the stomach using a glass clip emitting infrared fluorescence
稲田シュンコ、渕真悟、長谷川純一、森健策、三澤一成、中西速夫
第73回日本癌学会学術総会 P-2333、パシフィコ横浜、神奈川県、9月25日～27日 (2014)

ガラス形成酸化物混合によるPr³⁺添加ガラス蛍光体の発光スペクトル制御
清水勇佑、渡辺敬太、上村彦樹、渕真悟、竹田美和
第75回応用物理学会秋季学術講演会 20p-A26-4、北海道大学、北海道、9月17日～20日 (2014)

希土類添加ガラスのマイクロ波応答：「光らなかった」過程の動的分析
石井真史、渕真悟、竹田美和
第75回応用物理学会秋季学術講演会 20p-A26-3、北海道大学、北海道、9月17日～20日 (2014)

Sm³⁺, Pr³⁺共添加ガラス蛍光体の発光特性－母体ガラス依存性－
清水勇佑、渡辺敬太、上村彦樹、渕真悟、竹田美和
第61回応用物理学関係連合講演会 18a-PG6-3、青山学院大学、神奈川県、3月17日～20日 (2014)

2013年

ガラス蛍光体一体型LED光源を用いた有害成分分析装置の開発
上村彦樹、渕真悟、加藤亮、天野啓二、平泉健一、早瀬広志、竹田美和
第29回近赤外フォーラム P-09、文部科学省研究交流センター、茨城県つくば市、11月27日～11月29日 (2013)

有価陶磁器に対する人工物メトリクス適用のための研究
藤川真樹、小田史彦、森安研吾、渕真悟、竹田美和
コンピュータセキュリティシンポジウム 2013 (CSS2013) 3D3-4、かがわ国際会議場、香川県高松市、10月21日－23日 (2013)

可視光およびX線を用いた窒化物半導体結晶成長原子レベルその場観察 （結晶工学分科内招待講演）
鞠光旭、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、本田善央、山口雅史、天野浩
第74回応用物理学会秋季学術講演会 20a-D3-5、同志社大学、京都府、9月16日～20日 (2013)

Sm³⁺, Pr³⁺共添加ガラス蛍光体の発光特性
清水勇佑、渡辺敬太、上村彦樹、渕真悟、竹田美和
第74回応用物理学会秋季学術講演会 17p-D7-10、同志社大学、京都府、9月16日～20日 (2013)

2016年

近赤外光を用いた微量農薬の測定
上村彦樹、渕真悟
化学と教育、Vol. 64、No. 3、pp. 116-117 (2016)

2015年

知的財産権にかかる法令遵守と技術者のモラル　
渕真悟、菊池純一
電気学会誌、Vol. 135、No. 5、pp. 295-298 (2015)

2014年

「特許入門」
渕真悟
株式会社講談社　全文　2014年11月20日第１刷発行

2012年

「これで使える機能性材料パーフェクトガイド」
赤坂大樹、井須紀文、市川忠男、宇治原徹、栄長泰明、榎本和城、大竹尚登、川田宏之、川又昭夫、神崎昌郎、桜井淳平、高崎正也、秦誠一、平栗健二、伏信一慶、渕真悟、前田敏彦
株式会社講談社、pp. 88-97　2012年3月30日第１刷発行

2018年

第34回近赤外フォーラム Best Poster Award, 「分光分析応用に向けたクロム添加ニオブ酸系蛍光体一体型LEDの開発」, 七井 靖, 石田 亮太, 小澤 佑介, 卜部 佑貴, 西村 政哉, 渕 真悟, 2018年11月22日

産業応用工学会全国大会2018優秀論文発表賞, 「陶磁器向け人工物メトリクスのための機能性材料の開発：基礎実験（講演番号GS5-1）」,藤川真樹、原 万里子, 渕 真悟, 2018年9月13日

マルチメディア、分散、協調とモバイルシンポジウム（DICOMO2018）優秀論文賞,「セラミックス製品を対象とする人工物メトリクスのための機能性材料の開発（講演番号5C-5番）」, 藤川正樹、原万里子、小山紗季、渕真悟, 2018年7月25日

論文賞,「蛍光体粉末を誘導物として利用する歩行支援システムの研究」,藤川真樹、橋本 就、渕真悟、
産業応用工学会論文誌, Vol. 5, pp. 63-74 (2017)、2018年3月8日

2017年

マルチメディア、分散、協調とモバイルシンポジウム　(DICOMO2017)優秀論文賞, 「蛍光体を誘導物とする視覚障がい者向け歩行支援システムの提案(講演番号1E-3番)」, 藤川正樹、橋本就、渕真悟,2017年8月22日

マルチメディア、分散、協調とモバイルシンポジウム　(DICOMO2017)優秀論文賞, 「複数の特徴除法を用いて人工物の真正性を検証する方法の研究(講演番号4E-4番)」, 藤川正樹、 實川康輝、渕真悟,2017年8月22日

2014年

【特選論文】→【論文賞】
有価陶磁器製品に対する人工物メトリクス適用のための研究
藤川真樹、小田史彦、森安研吾、渕真悟、竹田美和
情報処理学会論文誌、Vol. 55、pp. 1992-2007 (2014)

【ポスター賞】
Effects of host glasses on luminescence properties of Sm³⁺, Pr³⁺ co-doped glass
Y. Shimizu, K. Watanabe, H. Uemura, S. Fuchi, and Y. Takeda
Sixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2014), Leeds, UK, 00117, July 27-August 1 (2014)

2013年

Increase of light extraction from Bi₂O₃-B₂O₃ based glass phosphor doped with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Kobayashi, S. Fuchi, K. Oshima, and Y. Takeda, Physics and Chemistry of Glasses: European Journal of Glass Science and Technology Part B, Vol. 54, pp. 247-253 (2013)

Luminescence efficiency of B₂O₃-Sb₂O₃-Bi₂O₃ glass phosphor doped with Sm³⁺, K. Oshima, S. Fuchi, S. Kobayashi, and Y. Takeda, European Journal of Glass Technology Part B Vol. 54, pp. 195-198 (2013)

In situ X-ray reflectivity of indium supplied on GaN templates by MOVPE, G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Journal of Applied Physics, Vol. 114, Art. No. 124906 (2013)

In situ X-ray Reflectivity Measurements on Annealed In_xGa_1-xN Epilayer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, Art. No. 08JB12 (2013)

Effect of compressive strain relaxation on surface morphology in GaAsP growth on GaP Substrate, X. Jin, S. Fuchi, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 370, pp. 204-207 (2013)

In situ X-Ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_1-xN single quantum Well, G. Ju, K. Yasunisi, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 370, pp. 36?41 (2013)

Radiation pattern control by sidewall angle of Bi₂O₃- B₂O₃ based glass phosphor doped with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Fuchi, S. Kobayashi, K. Oshima, and Y. Takeda, European Journal of Glass Science and Technology Part B, Vol. 54, pp. 60-63 (2013)

2012年

Study of Countermeasure Systems for Leaks of Onscreen Content by Digital, Video/Camera Shooting, M. Fujikawa, R. Kamai, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, Y. Takeda, H. Mori, and K. Terada, Journal of Internet Technology and Secured Transactions, Vol. 1, pp. 79 - 85 (2012)

Fabrication of wideband near-Infrared phosphor by stacking Sm³⁺-doped glass on Pr³⁺-doped glass phosphors, K. Oshima, K. Terasawa, S. Fuchi, and Y. Takeda, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, pp. 2340?2343 (2012)

Wideband near-infrared LED with over 1mW power by stacked InAs quantum dots/GaAs, S. Fuchi, K. Tani, T. Arai, S. Kamiyama, and Y. Takeda, Physica Status Solidi (c), Vol. 9, pp. 2348?2351 (2012)

2011年

Optimization of Bi₂O₃-B₂O₃ based glass phosphor co-doped with Yb³⁺ and Nd³⁺ for Optical Coherence Tomography Light Source, S. Fuchi, A. Sakano, R. Mizutani, and Y. Takeda, Applied Physics B, Vol. 105, pp. 877-881 (2011)

X-ray characterization of GaN and related materials at growth temperatures?system design and measurements, Y. Takeda, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, T. Mizuno, S. Fuchi, and M. Tabuchi, IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, Vol. 24, Art. No. 012002 (2011)

Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes, X. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, Journal of Physics: Conference Series, Vol. 298 Art. No. 012011 (2011)

Wideband near-infrared Phosphor by stacking Sm³⁺ doped glass underneath Yb³⁺, Nd³⁺ co-doped glass, S. Fuchi and Y. Takeda, Physica Status Solidi (c), Vol. 8, pp. 2653?2656 (2011)

X-ray characterization at growth temperatures of In_xGa_1-xN growth by MOVPE, G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 318, pp. 1143-1146 (2011)

Novel system for X-ray CTR scattering measurement on in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 318, pp. 1139-1142 (2011)

Increase of Spectral Width of Stacked InAs Quantum Dots on GaAs by Controlling Spacer Layer Thickness, K. Tani, S. Fuchi, R. Mizutani, T. Ujihara, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 318, pp. 1113-1116 (2011)

2010年

Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices, X. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, Y. Ishida, M. Kanda, S. Fuchi, T. Ujihara, T. Saka, and Y. Takeda, Journal of Applied Physics, Vol. 108, Art. No. 094509 (2010)

Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction, T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, and T. Koshikawa, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 8, pp. 125-130 (2010)

2009年

Fabrication of OCT light source by Bi₂O₃-B₂O₃ glass phosphor doped with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Fuchi, A. Sakano, R. Mizutani, and Y. Takeda, European Journal of Glass Technology, Part A, Vol. 50, pp. 319-322(2009)

Fabrication of Bi₂O₃-GeO₂ glass phosphor co-doped with Yb³⁺, Nd³⁺ for optical coherence tomography light source, A. Sakano, R. Mizutani, S. Fuchi, and Y. Takeda, Physica Status Solid-C, Vol. 6, pp. S71-S74 (2009)

High Power and High Resolution Near-Infrared Light Source for Optical Coherence Tomography Using Glass Phosphor and Light Emitting Diode, S. Fuchi, A. Sakano, R. Mizutani, and Y. Takeda, Applied Physics Express, Vol. 2, Art. No. 032102 (2009)

2008年

Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs-GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer, X. Jin, Y. Maeda, T. Saka, M. Tanioku, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, A. Mano, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, pp. 5039-5043 (2008)

Wideband Infrared Emission from Yb³⁺- and Nd³⁺-Doped Bi₂O₃-B₂O₃ Glass Phosphor for an Optical Coherence Tomography Light Source, S. Fuchi, A. Sakano, and Y. Takeda, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, pp.7932-7935 (2008)

Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy, S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W. S. Lee, T. Ujihara, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 310, pp. 2239-2243 (2008)

2007年

Effect of Li doping on photoluminescence from Er, O-codoped GaAs, D. Uki, H. Ohnishi, T. Yamaguchi, Y. Takemori, A. Koizumi, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, pp. 69-72 (2007)

2006年

分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子、　李裕植、三宅信輔、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　日本結晶成長学会誌、Vol.33、No.2、106-110頁 (2006)
　　　　　　

2004年

球面収差補正高分解能TEMによるInGaAs量子ドットの局所歪状態の観察、　田中信夫、山崎順、渕真悟、竹田美和、　日本金属学会誌“まてりあ”第43巻、第12号、987頁 (2004)

First observation of In_xGa_1-xAs quantum dots in GaP by spherical-aberration- corrected HRTEM in comparison with ADF-STEM and conventional HRTEM, N. Tanaka, J. Yamasaki, S. Fuchi, and Y. Takeda, Microscopy and Microanalysis, Vol. 10, pp. 139-145 (2004)

Composition dependence of energy structure and lattice structure in InGaAs/GaP, S. Fuchi, Y. Nonogaki, H. Moriya, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Physica E, Vol. 21, pp. 36-44 (2004)

2000年

Growth mode transition of InGaAs in OMVPE growth on GaP (001), H. Moriya, Y. Nonogaki, S. Fuchi, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Microelectron. Eng., Vols. 51-52, pp. 35-42 (2000)

Self-assembled InGaAs dots grown on GaP (001) substrate by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy, S. Fuchi, Y. Nonogaki, H. Moriya, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Physica E, Vol. 7, pp. 855-859 (2000)

Effects of GaP Cap Layer Growth on Self-Assembled InAs Islands Grown on GaP (001) by Organometallic Vapor Phase Epitaxy, S. Fuchi Y. Nonogaki, H. Moriya, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, pp. 3290-3293 (2000)

Er-related luminescence from self-assembled InAs quantum dots doped with Er by organometallic vapor phase epitaxy, Y. Fujiwara, T. Kawamoto, M. Ichida, S. Fuchi, Y. Nonogaki, A. Nakamura, and Y. Takeda, J. Luminescence, Vols. 87-89, pp. 326-329 (2000)

1999年

Formation of InGaAs dots on InP substrate with lattice-matching growth condition by droplet heteroepitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, R. Oga, H. Moriya, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Inst. of Phys. Conf. Ser., No. 162, pp. 469-473 (1999)

Effects of vicinal InP (001) surface on InAs dots grown by droplet hetero-epitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Mat. Sci. & Eng., Vol. B58, pp. 195-198 (1999)

1998年

Intense 1.5 μm emission from InAs quantum dots on InP (001) just and vicinal surface grown by droplet hetero-epitaxy using OMVPE, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Mat. Sci. & Eng., Vol. B57, pp. 84-86 (1998)

Effects of Post Annealing on Self-Organized InAs Islands Grown on (001) GaP by Organometallic Vapor Phase Epitaxy, S. Fuchi, Y. Nonogaki, T. Iguchi, H. Moriya, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, J. Surf. Analysis, Vol. 4, pp. 259-263 (1998)

Nanometer-scale InAs islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Appl. Surf. Sci., Vols. 130-132, pp. 724-728 (1998)

InAs dots grown on InP (001) by droplet hetero-epitaxy using OMVPE, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, Mat. Sci. & Eng., Vol. B51, pp. 118-121 (1998)

2013年

In-situ X-ray reflection and CTR monitoring of InGaN/GaN heteroepitaxy by MOVPE, G. Ju, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, 12th Akasaki Research Center Symposium, Nagoya, Japan, February 27 (2013)

Near-infrared wideband light source by combination of glass phosphor and GaN-based LED, S. Fuchi and Y. Takeda, 12th Akasaki Research Center Symposium, Nagoya, Japan, February 27 (2013)

2012年

Real-time X-ray reflectivity investigation on In_xGa_1-xN epilayer growth by MOVPE, G. Ju, K. Yasunishi, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Sapporo, Japan, TuP-GR-32, October 14-19 (2012)

Development of Countermeasure Systems for Content Leaks by Video Recording/Camera Shooting, M. Fujikawa, R. Kamai, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, Y. Takeda, H. Mori, and K. Terada, International Conference on Information Society (i-Society 2012), London, UK, June 25-28 (2012)

Proposal for a New Verification Method of Authenticity of Pottery and Porcelain Products Application of the artifact-metrics technology, M. Fujikawa, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, and Y. Takeda, International Conference on Information Society (i-Society 2012), London, UK, June 25-28 (2012)

Wideband Near-Infrared Phosphor Made by Stacking Sm³⁺-doped and Pr³⁺-doped Glass Phosphors, K. Oshima, K. Terasawa, S. Fuchi, and Y. Takeda, Fifth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA2012), Nara, Japan, June 3-7 (2012)

Wideband near-infrared light source with over 1mW power by stacked InAs quantum dots/GaAs LED, S. Fuchi, K. Tani, T. Arai, S. Kamiyama, and Y. Takeda, Fifth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA2012), Nara, Japan, June 3-7 (2012)

Effect of Compressive Strain Relaxation on Surface Morphology in GaAsP Growth on GaP Substrate, X. Jin, S. Fuchi, and Y. Takeda, 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), Busan, Korea, May 20-25 (2012)

In Situ X-Ray Measurements of In_xGa_1-xN Single Quantum Well Epitaxial Growth by MOVPE, G. Ju, K. Yasunisi, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Yoshikazu Takeda, 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XVI), Busan, Korea, May 20-25 (2012)

2011年

4 Times Improvement of Quantum Efficiency in High Spin-Polarization ransmission-Type Photocathode, F. Ichihashi, X.G. Jin, N. Yamamoto, A. Mano, M. Kuwahara, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, International Free Electron Laser Conference, Shanghai, China, August 22-26 (2011)

Luminescence efficiency of B₂O₃-Sb₂O₃-Bi₂O₃ glass phosphor doped with Sm³⁺, K. Oshima, S. Fuchi, S. Kobayashi, and Y. Takeda, The Seventh International Conference on Borate Glasses, Crystals and Melts (BORATE 7), Harifax Canada, P-12, August 21-25 (2011)

Increase of light extraction efficiency of Bi₂O₃-B₂O₃ based glass phosphor doped with with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Kobayashi, S. Fuchi, K. Oshima, and Y. Takeda, The Seventh International Conference on Borate Glasses, Crystals and Melts (BORATE 7), Harifax Canada, P-13, August 21-25 (2011)

Radiation pattern control by sidewall angle of Bi₂O₃-B₂O₃ based glass phosphor doped with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Fuchi, S. Kobayashi, K. Oshima, and Y. Takeda, The Seventh International Conference on Borate Glasses, Crystals and Melts (BORATE 7), Harifax Canada, P-4, August 21-25 (2011)

Study of Countermeasures for Content Leaks by Video recording, M. Fujikawa, J. Akimoto, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, and Y. Takeda, The 6th International Conference on Availability, Reliability and Security (ARES 2011), -Industrial Track-, Vienna, Austria, August 22-26 (2011)

Study of Countermeasures for Content Leaks by Video Recording, M. Fujikawa, J. Akimoto, F. Oda, K. Moriyasu, S. Fuchi, and Y. Takeda, ARES '11 Proceedings of the 2011 Sixth International Conference on Availability, Reliability and Security, pp. 398-403 (2011)

2010年

Growth temperature and room temperature characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system, Y. Takeda, K. Ninoi, G.X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi, 10th Akasaki Research Center Symposium, Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan, November 26 (2010)

Elimination of local thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattices for high spin-polarization photocathodes, X. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2010), Bonn, Germany, September 21-24 (2010)

Fabrication of Wideband Near-Infrared Phosphor Combining Sm³⁺-doped Glass and Yb³⁺, Nd³⁺ co-doped Glass Phosphors, S. Fuchi and Y. Takeda, Fourth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA2010), Budapest, Hungary, August 15-20 (2010)

Increase of Spectral Width of Stacked InAs Quantum Dots on GaAs by Controlling Spacer Layer Thickness, K. Tani, S. Fuchi, R. Mizutani, T. Ujihara, and Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13 (2010)

Effects of GaAs inter-layer on uniformity of GaAs/GaAsP strained superlattice for spin-polarized photocathode, X. Jin, Y. Maeda, T. Sakaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13 (2010)

New X-ray CTR scattering measurement system using conventional X-ray source for in-situ observation of OMVPE growth of nitride semiconductor heterostructures, K. Ninoi, G. Ju, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13 (2010)

X-ray CTR scattering measurement at growth temperature of In_xGa_1-xN grown by MOVPE, G. Ju, K. Ninoi, H. Kamiya, S. Fuchi, M. Tabuchi, and Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13 (2010)

Improvement of quantum efficiency by introduction of AlGaAs inter-layer in transmission-type spin-polarized photocathode, X. Jin, F. Ichihashi, M. Kuwahara, S. Fuchi, S. Okumi, T. Ujihara, T. Nakanishi, and Y. Takeda, The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16), Beijing, China, August 8-13 (2010)

Effects of defects and local thickness modulation on spin-polarization in photocathodes based on GaAs/GaAsP strained superlattices, X. Jin, Y. Maeda, T. Sasaki, S. Arai, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, The 23rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC2010), Cafifornia, USA, July 26-30 (2010)

Growth and characterization of nitride semiconductors by MOVPE reactor installed in the X-ray CTR measurements system, Y. Takeda, H. Kamiya, K. Ninoi, G.X. Ju, S. Fuchi, and M. Tabuchi, 9th Akasaki Research Center Symposium, Hotel Rubura Ohzan, Nagoya, Japan, March 12 (2010)

2009年

Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction, T. Saka, Y. Ishida, M. Kanda, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, T. Matsuyama, H. Horinaka, T. Kato, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi, M. Yamamoto, T. Ohshima, T. Kohashi, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, and T. Koshikawa, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009)

Growth of Transmission-type photocathode based on a GaAs-GaAsP strained superlattice for real time SPLEEM, T. Ujihara, X.G. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, T. Kato, M. Suzuki, M. Hashimoto, T. Yasue, T. Koshikawa, T. Ohshima, T. Kohashi and H. Horinaka, 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC`09), Hawaii, USA, December 6-11 (2009)

TEM investigation on structural perfection of GaAs/GaAsP strained superlattice for high-performance spin-polarized electron source, X. Jin, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, and Y. Takeda, 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and (ACSIN2009), Granada Conference Centre, Granada, Spain, September 21-25 (2009)

2008年

Super-high brightness and high-spin-polarization electron source based on a novel transmission-type GaAs/GaAsP strained superlattice - Defects and polarization-, X. Jin, T. Ujihara, M. Tanioku, Y. Maeda, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, Y. Nakagawa, M. Yamamoto, S. Okumi, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), CEBAF Center, Jefferson Lab., Newport News, VA, USA, October 1-3(2008)

New transmission-type photocathode structure based on strain-compensated Superlattice, X. Jin, M. Tanioku, Y. Maeda, S. Fuchi, T. Ujihara, Y. Takeda, N. Yamamoto, T. Saka, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue, and T. Koshikawa, Workshop on Sources of Polarized Electrons and High Brightness Electron Beams (PESP2008), CEBAF Center, Jefferson Lab., Newport News, VA, USA, October 1-3 (2008)

Fabrication of OCT light source by Bi₂O₃-B₂O₃ glass phosphor doped with Yb³⁺ and Nd³⁺, S. Fuchi, A. Sakano, and Y. Takeda, The 6th International Conference on Borate glasses, crystals and melts, Himeji, Japan, 20-P-12, August 18-22 (2008)

Fabrication of Yb³⁺, Nd³⁺ co-doped Bi₂O₃-GeO₂ glass phosphor for optical coherence tomography light source, A. Sakano, S. Fuchi, and Y. Takeda, Third International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, Edmonton, Canada, P030, July 20-25 (2008)

Highly spin-polarized electron photocathode based on GaAs/GaAsP superlattice grown on mosaic-structured buffer layer, X.G. Jin, Y. Maeda, M. Tanioku, T. Ujihara, S. Fuchi, Y. Takeda, N. Yamamoto, A. Mano, Y. Nakagawa, S. Okumi, M. Yamamoto, T. Nakanishi, T. Saka, H. Horinaka, T. Kato, T. Yasue and T. Koshikawa, 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Metz, France, Fr-B1.3, June 1-6 (2008)

2007年

Polarization improvement of spin-polarized electrons from strain-compensated GaAs/GaAsP superlattice photocathode, T. Kato, R. Sakai, M. Tanioku, Y. Nakagawa, Y. Maeda, X. Jin, S. Fuchi, M. Yamamoto, T. Ujihara, T. Nakanishi, and Y. Takeda, 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Tokyo, Japan, 13Ap1-5, November 11-15 (2007)

Effect of absorbed group-V atoms on the size distribution and optical properties of InAsP quantum dots fabricated by the droplet hetero-epitaxy, S. Fuchi, S. Miyake, S. Kawamura, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda, 15th International Conference on Crystal Growth, Salt Lake City, USA, q05, August 12-17 (2007)

1999年

Growth mode transition of InGaAs grown on GaP (001) by OMVPE, H. Moriya, Y. Nonogaki, S. Fuchi, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, 3rd Intern. Conf. Low Dimensional Structures and Devices, Antalya, Turkey, 180, September 15-17 (1999)

Er-related luminescence from self-assembled InAs quantum dots doped with Er by organometallic vapor phase epitaxy, Y. Fujiwara, T. Kawamoto, M. Ichida, S. Fuchi, Y. Nonogaki, A. Nakamura, and Y. Takeda, 1999 Intern. Conf. Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter, Osaka, Japan, A07-5, August 23-27 (1999)

Self-assembled InGaAs dots grown on GaP (001) substrate by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy, Y. Nonogaki, S. Fuchi, H. Moriya, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda 9th Intern. Conf. Modulated Semiconductor Structures, Fukuoka, Japan, D18, July 12-16 (1999)

1998年

Formation of InGaAs dots on InP substrate with lattice-matching growth condition by droplet heteroepitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, R. Oga, H. Moriya, Y. Fujiwara , and Y. Takeda, 25th Intern. Symp. Compound Semiconductors, Nara, Japan, TuP-12, October 12-16 (1998)

Effects of post annealing on self-organized InAs islands on (001) GaP, S. Fuchi, Y. Nonogaki, T. Iguchi, H. Moriya, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, 3rd Intern. Symp. Advanced Physical Fields, Tsukuba, Japan, P-8, February 18-20 (1998)

1997年

InAs islands on GaP (001) grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, 4th Intern. Symp. Atomically Controlled Surfaces and Interfaces, Tokyo, Japan, PC39, October 27-30 (1997)
　　　
Photoluminescence at 1.5 μm from InAs　quantum dots grown on InP (001)-just by droplet hetero-epitaxy, Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda, 2nd Intern. Conf. Low Dimensional Structures & Devices, Lisbon, Portugal, May 19-21 (1997)

Development of new devices for detection of gastric cancer on laparoscopic surgery using near-infrared light, S. A. Inada, S. Fuchi, K. Mori, J. Hasegawa, K. Misawa, H. Nakanishi, Proc. SPIE 9304, Endoscopic Microscopy X; and Optical Techniques in Pulmonary Medicine II, 93041Q to be published in SPIE Digital Library

2013年

Sm³⁺添加ガラス蛍光体とPr³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性―ポストアニールの効果―、　大島弘嗣、渕真悟、上村彦樹、竹田美和、　 第60回応用物理学関係連合講演会 27a-PA7-16 、神奈川工科大学、神奈川県、3月27日～30 日（2013）

Insitu X-ray measurements of In-rich InGaN growth by MOVPE, G. Ju, 本田善央、渕真悟、田渕雅夫、天野浩、竹田美和、　第60回応用物理学関係連合講演会 27p-G21-5、神奈川工科大学、神奈川県、3月27日～30>日（2013）

虚血ラットモデルに対する血管内皮細胞活性を有する広域近赤外線照射再生支援装置、　山本徳則、渕真悟、柴田玲、鈴木哲、舟橋康人、松川宣久、後藤百万 O-41-2, 第12回日本再生医療学会総会、パシフィコ横浜、神奈川県横浜市、3月21日～3月23日 (2013)

超広帯域(760～1100nm)発光のガラス蛍光体一体型LED、　渕真悟、大島弘嗣、上村彦樹、竹田美和、　第28回近赤外フォーラム P-09、沖縄県男女共同参画センターてぃるる、沖縄県那覇市、3月6日～3月9日（2013）

2012年

生体測定用近赤外広帯域光源の開発－ガラス蛍光体と一体化したLED－、　渕真悟、竹田美和、　平成24年度日本生体医工学会東海支部大会 50、株式会社スズケン本社、愛知県名古屋市、10月20日（2012）

Sm³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性－Sm³⁺周辺局所構造の影響－、　大島弘嗣、渕真悟、坪田光治、田渕雅夫、竹田美和、　 第73回応用物理学会学術講演会 12a-PA4-10、愛媛大学・松山大学、愛媛県松山市、9月11日～9月14日（2012）

複合性局所疼痛症候群における難治性疼痛及び関節拘縮発生要因についての検討、　太田英之、浦野秀樹、新井哲也、岩月克之、山本美知郎、渕真悟、平田仁、　 第23回日本末梢神経学会学術集会（末梢神経 巻：23号：2ページ：301-302 発行年：2012年12月01日）、九州大学百年講堂、福岡県福岡市、8月31日～9月1日　(2012)
　　　　　　
Pr³⁺添加ガラス蛍光体とSm³⁺添加ガラス蛍光体一体型近赤外広帯域LED、　渕真悟、大島弘嗣、寺澤謙吾、竹田美和、　第344回蛍光体同学会講演会、化学会館ホール、東京都千代田区、8月3日　(2012)　＊依頼講演

RF-MBE法によるガラス基板上InGaNナノ構造の作製、　中川慎太、田畑拓也、本田善央、山口雅史、天野浩、渕真悟、竹田美和、　第4回　窒化物半導体結晶成長講演会 (プレIWN2012) SA-10、東京大学生産技術研究所、東京、4月27日～28日（2012）

複合性局所疼痛症候群（CRPS）類似モデルにおける難治性拘縮発生要因についての検討、　太田英之、新井哲也、山本美知郎、平田仁、渕　真悟、　 第55回日本手外科学会学術集会 1-9-EP-25、パシフィコ横浜、神奈川、4月19日～20日（2012）

In situ X-ray measurements of MOVPE growth of In_xGa_1-xN single quantum well, 鞠光旭、安西孝太、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、　 第59回応用物理学関係連合講演会 18p-B5-5、早稲田大学、東京、3月15日～18日（2012）

Pr³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性、　大島弘嗣、寺澤謙吾、渕真悟、竹田美和、　第59回応用物理学関係連合講演会 16p-E2-20、早稲田大学、東京、3月15日～18日（2012）

窒化物半導体結晶の特異構造形成を理解するためのX線によるその場観察装置の開発、　田渕雅夫、益田征典、安西孝太、鞠光旭、二木浩之、森康博、渕真悟、竹田美和、　 第59回応用物理学関係連合講演会 15p-F11-3、早稲田大学、東京、3月15日～18日（2012）

LEDとガラス蛍光体を一体化した近赤外小型広帯域光源の開発と応用、　渕真悟、大島弘嗣、寺澤謙吾、竹田美和、　The 22nd　Meeting on Glasses for Photonics 2012、東京工業大学、東京都目黒区、2月7日　(2012)
　　　　　　

2011年

LED励起ガラス蛍光体による1μm帯光源の短波長域への拡張、　渕真悟、大島弘嗣、竹田美和、　第27回近赤外フォーラム O-11、文部科学省研究交流センター、茨城県つくば市、11月9日～11月11日（2011）

1μm 帯の小型光源開発と生体応用（特別講演）、　竹田美和、渕真悟、　第21回（平成23年度）日本赤外線学会研究発表会、アクトシティ研修交流センター、静岡県浜松市、10月20日　(2011)

撮影によるコンテンツの持ち出しに対抗するための研究、　藤川真樹、釜井了典(ALSOK)、小田史彦、森安 研吾 (ウシオ電機株式会社)、渕真悟、竹田美和 (名古屋大学)、　 コンピュータセキュリティシンポジウム2011　(CSS2011)、朱鷺メッセ、新潟県新潟市、10月19日－21日 （2011）

半導体成長環境下におけるその場X線反射率測定、　安西孝太、鞠光旭、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、　第72回応用物理学会学術講演会 2a-ZA-2、山形大学、山形県山形、8月29日～9月2日（2011）

AlGaAs中間層及びSi₃N₄反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上、　市橋史朗、金秀光、山本尚人、真野篤志、桑原真人、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　 第72回応用物理学会学術講演会 31a-ZA-13、山形大学、山形県山形、8月29日～9月2日（2011）

Sm³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性母体ガラスの効果、　大島弘嗣、渕真悟、竹田美和、　第72回応用物理学会学術講演会 1p-P11-3、山形大学、山形県山形、8月29日～9月2日（2011）

ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化、 渕真悟、小林俊一、大島弘嗣、竹田美和、　電子情報通信学会　電子デバイス研究会　ED2011-1（CPM2011-8, SDM2011-14）、名古屋大学、愛知県名古屋市、5月19日－20日 （2011）

Sm³⁺添加ガラス蛍光体の発光効率－Sm³⁺濃度と試料厚さ依存性－、　渕真悟、大島弘嗣、竹田美和、　第58回応用物理学関係連合講演会 26p-BW-16、神奈川工科大学、神奈川県、3月24日～27日（2011）

2010年

半導体OMVPE成長過程のその場X線反射率測定の試み、　安西孝太、二野井晃嗣、鞠光旭、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、　 応用物理学会結晶工学分科会主催0210年・年末講演会「エレクトロニクスの将来ビジョン　～発展史マップとアカデミックロードマップ～　＆若手ポスター発表会」 学習院創立百周年記念会館、東京都豊島区、12月17日（2010）

LED励起ガラス蛍光体による1μm帯光源の広帯域化と応用、　渕真悟、竹田美和、　第26回近赤外フォーラム P-34 、文部科学省研究交流センター、茨城県つくば市、 12月1日～12月3日（2010）

In_xGa_1-xN grown by MOVPE installed in the CTR scattering mesurement system、　鞠光旭、二野井晃嗣、神谷肇、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、　 第71回応用物理学会学術講演会 15p-ZT-8、長崎大学、長崎県長崎市、 9月14日～9月7日（2010）

窒化物半導体のOMVPE成長過程その場測定用実験室系X線CTR散乱測定装置の開発、　二野井晃嗣、鞠光旭、神谷肇、渕真悟、田渕雅夫、竹田美和、　 第71回応用物理学会学術講演会 15p-ZT-7、長崎大学、長崎県長崎市、9月14日～9月17日（2010）

GaAs上InAs積層量子ドットの発光のスペーサー層厚さ制御による広帯域化、　谷和馬、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　第71回応用物理学会学術講演会 15a-ZV-1、長崎大学、長崎県長崎市、9月14日～9月17日（2010）

Sm³⁺添加Sb₂O₃-B₂O₃-Bi₂O₃ガラスとYb³⁺, Nd³⁺共添加 Sb₂O₃-B₂O₃-Bi₂O₃ガラスを積層した近赤外広帯域ガラス蛍光体の作製、　渕真悟、竹田美和、　 第71回応用物理学会学術講演会 14p-ZM-6、長崎大学、長崎県長崎市、9月14日～9月17日（2010）

AlGaAs中間層の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの高量子効率化、　市橋史朗、金秀光、桑原真人、山本尚人、前多悠也、橋本和弥、渕真悟、奥見正治、宇治原徹、中西彊、竹田美和、　 第71回応用物理学会学術講演会 14a-ZW-3、長崎大学、長崎県長崎市、9月14日～9月17日（2010）

スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子フォトカソードにおける欠陥と層厚変調の偏極度への影響、　金秀光、前多悠也、市橋史朗、橋本和弥、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　 第57回応用物理学関係連合講演会 19a-TW-4、東海大学、神奈川県平塚市、3月17日～3月20日（2010）

2009年

TEMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造の結晶性の評価、　金秀光、前多悠也、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　第39回結晶成長国内会議（NCCG-39） 14aC05、名古屋大学、愛知県名古屋市、11月12日－14日（2009）

スピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子構造における層厚の変調と偏極度への影響、　金秀光、前多悠也、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　 第70回応用物理学会学術講演会 11a-C-7、富山大学、富山県富山市、9月8日-9月11日（2009）

半導体LED励起によるガラス蛍光体を用いた波長1μm帯広帯域光源の開発、　水谷亮太、阪野紋子、渕真悟、竹田美和、　第25回近赤外フォーラム P-22、名古屋大学、愛知県名古屋市、5月14日～5月15日（2009）

TEMとAFMによるスピン偏極電子源用GaAs/GaAsP歪み超格子の結晶性の評価、　 金秀光、谷奥雅俊、前多悠也、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、山本尚人、中川靖英、山本将博、奥見正治、中西彊、　 第55回応用物理学関係連合講演会 2p-J-4、筑波大学、茨城県つくば市、3月30日～4月2日（2009）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃-B₂O₃系ガラス蛍光体を用いた近赤外光源の開発、　水谷亮太、阪野紋子、渕真悟、竹田美和、　 第55回応用物理学関係連合講演会 31p-P11-2、筑波大学、茨城県つくば市、3月30日～4月2日（2009）

2008年

半導体歪み超格子構造による高編極度・高輝度スピン偏極電子源、　宇治原徹、金秀光、坂貴、山本尚人、谷奥雅俊、前多悠也、渕真悟、竹田美和、中川靖英、奥見正治、山本将博、中西彊、加藤俊宏、堀中博道、安江常夫、越川孝範、　 第38回結晶成長国内会議（NCCG-38） 04aC04、仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市、11月4日－6日（2008）

GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極電子源における歪み解析とその偏極度への影響、　金秀光、谷奥雅俊、前多悠也、坂貴、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、山本尚人、中川靖英、山本将博、奥見正治、中西彊、堀中博道、加藤俊宏、安江常夫、 越川孝範、　第38回結晶成長国内会議（NCCG-38） 06aA07、仙台市戦災復興記念館、宮城県仙台市、11月4日－6日（2008）

GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源におけるGaAsPバッファ層の結晶性と偏極度の関係、　金秀光、谷奥雅俊、前多悠也、坂貴、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、山本尚人、真野篤志、中川靖俊，山本将博、奥見正治、中西彊、堀中博道、加藤俊宏、 安江常夫、越川孝範、 第69回応用物理学会学術講演会 3a-CF-17、中部大学、愛知県春日井市、9月2日-9月5日（2008）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃系ガラス蛍光体の発光スペクトル―試料厚さの効果―、　阪野紋子、水谷亮太、渕真悟、竹田美和、　 第69回応用物理学会学術講演会 4p-S-2、中部大学、愛知県春日井市、9月2日-9月5日（2008）

無転位歪み補償半導体超格子による高品質スピン偏極電子源の設計と作製、　谷奥雅俊、金秀光、前多悠也、許斐太郎、中川靖英、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和、　 第69回応用物理学会学術講演会 2a-N-10、中部大学、愛知県春日井市、9月2日-9月5日（2008）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃系ガラス蛍光体の近赤外広帯域発光、　渕真悟、阪野紋子、竹田美和、　第323回蛍光体同学会講演会、化学会館ホール、東京都千代田区、6月20日 （2008） ＊依頼講演

歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係、　前多悠也、金秀光、谷奥雅俊、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、山本尚人、真野篤志、中川靖英、山本将博、奥見正治、中西彊、坂貴、堀中博道、 加藤俊宏、安江常夫、越川孝範、　電子情報通信学会　電子デバイス研究会 ED2008-16（CPM2008-24, SDM2008-36）、名古屋工業大学、愛知県名古屋市、5月15日－16日（2008）

半導体歪み超格子による高輝度・高偏極度電子源、　竹田美和、金秀光、渕真悟、宇治原徹、山本尚人、真野篤志、中川靖英、山本将博、奥見正治、中西彊、坂貴、堀中博道、加藤俊宏、安江常夫、越川孝範、　 日本学術振興会　真空ナノエレクトロニクス第158委員会　第72回研究会、筑波大学東京キャンパス、東京都文京区、4月14日（2008）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃系ガラス蛍光体の発光特性―母体材料の効果―、　阪野紋子、渕真悟、竹田美和、 第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学、千葉県船橋市、3月27日-3月30日（2008）

高偏極度・高輝度・高効率電子源用無欠陥歪み補償半導体超格子構造の設計、　谷奥雅俊、加藤鷹紀、中川靖英、許斐太郎、金秀光、前多悠也、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和、　 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-ZN-3、日本大学、千葉県船橋市、3月27日-3月30日（2008）

GaAs/GaAsP歪み超格子構造電子源による超高輝度・高スピン偏極度の実現、 金秀光、前多悠也、加藤鷹紀、谷奥雅俊、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、山本尚人、真野篤志、中川靖英、山本将博、奥見正治、中西彊、坂貴、堀中博道、加藤俊宏、 安江常夫、越川孝範、 第55回応用物理学関係連合講演会 27p-ZN-2、日本大学、千葉県船橋市、3月27日-3月30日（2008）

2007年

液滴エピタキシー法により作製したInAsP量子ドットの形状－成長温度とAs/P供給時間依存性－、 河村真一、劉恒、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、 第37回結晶成長国内会議（NCCG-37） 07aB12、北海道大学、北海道札幌市、11月5日－7日（2007）

分離閉じ込め構造による電流注入型Er, O共添加GaAs発光デバイスの発光強度増大、 田中雄太、宇木大輔、山口岳宏、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、 第68回応用物理学会学術講演会 5a-L-1、北海道工業大学、北海道札幌市、9月4日-9月8日（2007）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃-B₂O₃系ガラス蛍光体の励起過程、 阪野紋子、渕真悟、竹田美和、 第68回応用物理学会学術講演会 5a-L-1、北海道工業大学、北海道札幌市、9月4日-9月8日（2007）

歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の偏極度向上、　加藤鷹紀、酒井良介、谷奥雅俊、中川靖英、前田義紀、金秀光、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和、　 電子情報通信学会　電子デバイス研究会 ED2007-29（CPM2007-13, SDM2007-14）、静岡大学、静岡県浜松市、5月24日－25日（2007）

Er, O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度増大、　宇木大輔、山口岳宏、田中雄太、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、　 電子情報通信学会　電子デバイス研究会、信学技報 ED2007-14（CPM2007-13, SDM2007-14）、静岡大学、静岡県浜松市、5月24日－25日（2007）

断面STMで観たInP-on-InGaAs界面の形状と組成分布：InP層厚依存性II、 叶保明、山川市郎、李　祐植、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、中村新男、 第54回応用物理学関係連合講演会 29a-Q-5、青山学院大学、神奈川県相模原市、3月27日-3月30日（2007）

液滴ヘテロエピタキシーにより作製したInAsP量子ドットの発光特性－ガスフローシーケンスの影響－、 三宅信輔、河村真一、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、 第54回応用物理学関係連合講演会 29a-Q-1、青山学院大学、神奈川県相模原市、3月27日-3月30日（2007）

Yb³⁺, Nd³⁺共添加Bi₂O₃-B₂O₃系ガラスによる広帯域発光、 渕真悟、阪野紋子、竹田美和、 第54回応用物理学関係連合講演会 28a-ZK-1、青山学院大学、神奈川県相模原市、3月27日-3月30日（2007）

歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源のバンド構造と偏極度への影響、 加藤鷹紀、酒井良介、谷奥雅俊、中川靖英、前田義紀、金秀光、渕真悟、山本将博、宇治原徹、中西彊、竹田美和、 第54回応用物理学関係連合講演会 29p-ZV-11、青山学院大学、神奈川県相模原市、3月27日-3月30日（2007）

2006年

InAsP量子ドットによる広帯域発光の波長チューニング、 三宅信輔、李裕植、河村真一、渕真悟、宇治原徹、竹田美和、 第67回応用物理学会学術講演会 31a-ZF-5、立命館大学、滋賀県草津市、8月29日-9月1日（2006）

1999年

減圧OMVPE法によるGaP(001)基板上のIn_xGa_1-xA島の形成」、守屋博光、野々垣陽一、渕真悟、小泉淳、藤原康文、竹田美和、 第46回応用物理学関係連合講演会 30a-ZL-15、東京理科大学、千葉県野田市、3月28日-31日 (1999)

1998年

Er doping to self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (001) by organometallic vapor phase epitaxy, Y. Fujiwara, T. Kawamoto, S. Fuchi, M. Ichiki, Y. Nonogaki, A. Nakamura and Y. Takeda, The 4th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in SemiconductorsA7, Sendai International Center, Sendai, December 3-4 (1998)

有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP (001) 構造の作製、　渕真悟、野々垣陽一、守屋博光、藤原康文、竹田美和、　電子情報通信学会　電子デバイス研究会、信学技報 ED98-125、京都大学、京都市左京区、11月15日－16日（1998）

異なるGaPキャップ層成長シーケンスによるGaP/InAs島/GaP構造の作製、 渕真悟、野々垣陽一、守屋博光、藤原康文、竹田美和、 第59回応用物理学会学術講演会 17a-YG-5、広島大学、東広島市、9月15日-18日 (1998)

GaAs基板上のEr添加InAsドットのOMVPE成長と評価、 川本武司、渕真悟、野々垣陽一、藤原康文、竹田美和、 第59回応用物理学会学術講演会 17p-R-18、広島大学、東広島市、9月15日-18日 (1998)

Fabrication of GaP/InAs-islands/GaP sandwich structures by low- pressure organometallic vapor phase epitaxy, S. Fuchi, Y. Nonogaki, H. Moriya, Y. Fujiwara and Y. Takeda, THE 17TH ELECTRONIC MATERIALS SYMPOSIUM D3, Hotel Fujimi Haitsu, Izu-Nagaoka, July 8-10 (1998)

GaP (001)上InAs島のアニール効果、 渕真悟、野々垣陽一、井口　直、守屋博光、藤原康文、竹田美和、 第45回応用物理学関係連合講演会 30p-PB-18、東京工科大学、八王子市、3月28日-31日 (1998)

液滴エピタキシー法によるInP (001) 上へのInGaAsドットの形成、 野々垣陽一、井口直、渕真悟、大賀涼、守屋博光、藤原康文、竹田美和、 第45回応用物理学関係連合講演会 30p-PB-17、東京工科大学、八王子市、3月28日-31日 (1998)

1997年

液滴エピタキシー法による微傾斜InP(001)上へのInAsドットの形成、 野々垣陽一、井口直、渕真悟、藤原康文、竹田美和、 第58回応用物理学会学術講演会 3a-S-9、秋田大学、秋田市、10月2日-5日 (1997)

減圧OMVPE法によるGaP (001)上へのInAs島の形成、 井口直、野々垣陽一、渕真悟、藤原康文、竹田美和、 第58回応用物理学会学術講演会 2p-ZN-2、秋田大学、秋田市、10月2日-5日 (1997)

Strong 1.5μm photoluminescence from InAs islands grown on vicinal InP (001) surface by droplet hotero-epitaxy, T. Iguchi, Y. Nonogaki, S. Fuchi, Y. Fujiwara and Y. Takeda, THE 16TH ELECTRONIC MATERIALS SYMPOSIUM H-6, Hotel Minoo, Osaka, July 9-11 (1997)

液滴エピタキシー法によるInP (001) just面上へのInAs量子ドットの形成と1.5μm発光、 野々垣陽一、井口直、渕真悟、藤原康文、竹田美和、 第44回応用物理学関係連合講演会 30p-T-6、日本大学、船橋市、3月28日-31日 (1997)